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【News Release】日新電機:パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入開始 ~SiCパワー半導体の市場拡大を受け生産性を約3倍向上~

2020/10/2 20:00

【News Release】日新電機:パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入開始 ~SiCパワー半導体の市場拡大を受け生産性を約3倍向上~

2020/10/2 20:00

発表日:2020年10月2日
発表者:日新電機株式会社
表 題:パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入開始 ~SiCパワー半導体の市場拡大を受け生産性を約3倍向上~

日新電機株式会社(本社:京都市右京区、社長:齋藤成雄)のグループ会社である日新イオン機器株式会社(本社:京都市南区、社長:長井宣夫)は、電気自動車や情報通信機器などの用途への利用拡大が見込まれるSiCパワー半導体市場の拡大を受け、従来装置より生産性を約3倍向上させた高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入を開始しました。

電力の制御や供給を行うパワー半導体の材料として、SiC(炭化ケイ素)はSi(ケイ素、シリコン)と比較して電力損失の大幅低減や高温動作が可能という優れた特性を有しているため、機器の小型化、高性能化が期待できる次世代のパワー半導体として電車・電気自動車、情報通信機器分野から本格的量産が期待されています。

SiCへのイオン注入にはその特性から、SiCウェーハを高温(約500℃)に加熱しながら注入することが必要ですが、当社はメモリIC(記憶素子)、ロジックIC(論理素子)などのVLSI(超大規模集積回路)製造用中電流イオン注入装置で長年培った高い装置技術を応用して、2009年にまず研究用の高温イオン注入装置を開発しました。そして2013年には当時業界唯一の量産装置であった「IMPHEAT」をいち早くリリースし先進のパワー半導体メーカーに販売してきました。

その後、省エネ・省電力化・環境性ニーズのさらなる高まりを背景に、SiCパワー半導体市場は一層の拡大が見込まれる状況から、当社は一層の量産化のメーカーニーズに応えるべく、SiCウェーハの自動搬送システムなど構造の最適化やイオンビーム電流を倍増するなど改良を重ねた結果、処理時間の短縮を実現、1時間当りのウェーハ処理枚数が従来比約3倍に向上した「IMPHEAT-Ⅱ」を2019年に開発し、販売を開始しています。

〔公式ページ〕
パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入開始 ~SiCパワー半導体の市場拡大を受け生産性を約3倍向上~
※掲載テキストは発表情報の全文または一部抜粋です。元となるプレスリリースは発表元による発表当時のものであり、最新情報とは異なる場合があります。※詳細情報は公式ページをご参照ください。